澳大利亚科技公司DorsaVi Ltd (ASX: DVL)于12月5日发布公告，披露其下一代存储技术RRAM(电阻式随机存取存储器，一种比传统芯片更快、更节能的非易失性存储器)研发项目取得重大进展。该项目正朝着关键的22纳米技术节点集成目标稳步推进，并与公司新近收购的神经形态计算产品组合进行战略协同，旨在为边缘人工智能硬件平台提供核心技术支持。
根据公告，DorsaVi的合作方Artemis Labs在RRAM材料堆栈和电阻范围优化方面取得了早期成功。测试结果显示，新型专有材料实现了高开关对比度，即清晰的“开/关”状态切换窗口，这对于确保在先进制程下的数据稳定性和可靠性至关重要。这一技术突破为RRAM在22纳米节点下的低电压、低功耗运行奠定了基础，使其能够满足高效能内存计算(在存储数据的位置直接进行计算，减少数据搬运，提升能效)的需求。 此次技术更新与DorsaVi的整体战略紧密相连。
公司正致力于将传感、内存和神经形态计算(模仿人脑结构和功能的计算方式)整合于单一的先进芯片平台之上。通过优化RRAM技术，DorsaVi能够为其新收购的Reflex Engine和智能接口层等IP提供一个兼容且高效的存储“织物”，从而构建出能够本地化进行模式识别和决策的节能边缘智能系统。 DorsaVi的这一布局瞄准了高速增长的边缘AI市场。
根据Grand View Research的数据，全球边缘AI市场规模预计将从2023年的约150亿美元增长至2030年的超过1000亿美元，主要驱动力来自可穿戴设备、机器人和物联网领域。公司的集成式平台未来有望以授权或模块化形式，应用于新一代可穿戴设备、机器人和工业安全产品中，为其在价值万亿的AI硬件市场中抢占先机。公司表示将继续向市场更新RRAM扩展项目在22纳米开发路线图上的后续里程碑和集成步骤。